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SiC模塊與IGBT模塊的開關(guān)損耗比較

以下展示的是不同三家公司已經(jīng)產(chǎn)品化的最新(2012 年時)的1200V/100A 等級2in1 結(jié)構(gòu)的IGBT模塊SiC 模塊的比較結(jié)果。
4.4.1 總開關(guān)損耗的比較
如果選擇了合適的門極電阻,SiC 功率模塊的總開關(guān)損耗(Eon + Eoff + Err)能夠比損耗最小的IGBT模塊降低85%。 因此,SiC 模塊可以在以往的IGBT 模塊無法達(dá)到的50KHz 以上驅(qū)動,也可以使 電抗器等被動器件小型化。而且,在通常的IGBT 模塊中,由于存在由開關(guān)損耗引起的發(fā)熱問題,只能使用額定電流的一半左右的電流工作,但是,SiC 模塊的開關(guān)損耗很小,所以在高頻驅(qū)動時也不用取大幅度的電流降額就可以使用。也就是說,SiC 功率模塊可以替換額定電流更大的IGBT模塊。文章來源:http://wllre.cn/js/173.html
SiC 功率模塊的總開關(guān)損耗
4.4.2 恢復(fù)損耗(Err)的比較
IGBT 模塊中的FRD 的峰值反向恢復(fù)電流Irr、反向恢復(fù)時間trr 很大,所以產(chǎn)生較大的損耗,而SiC‐SBD 的Irr、trr 非常小,損耗值幾乎可以忽略不計。
恢復(fù)損耗(Err)的比較
4.4.3 Turn‐on 損耗(Eon)的比較
回流臂上產(chǎn)生的恢復(fù)電流貫通到相對一側(cè),從而使開關(guān)器件的Turn‐on 損耗增大。與恢復(fù)損耗一樣,二極管的恢復(fù)越快,SiC 功率模塊的Turn‐on 損耗越小。而且外部門極電阻越小,損耗越小。
Turn‐on 損耗(Eon)的比較
4.4.4 Turn‐off 損耗(Eoff)的比較
IGBT 的Turn‐off 損耗是由尾電流引起的,所以對門極電阻的依賴性不是特別明顯,一般都很大。而SiC‐MOSFET 在原理上不存在尾電流,所以可以超快速、低損耗地進(jìn)行開關(guān)動作。另外,外部門極電阻阻值越低,損耗越小。轉(zhuǎn)載請注明出處:http://wllre.cn/
Turn‐off 損耗(Eoff)的比較


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