IGBT尖峰電壓吸收電容

由于IGBT主回路母排有雜散電感存在，當(dāng)關(guān)斷IGBT的時(shí)候，集電極-發(fā)射極電流會(huì)快速下降，電感的特性是電流不能瞬變，會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)，形成尖峰電壓: 這些尖峰電壓的方向與直流母線電壓方VDC-link一致，疊加在母線上會(huì)導(dǎo)致VCE>VCEmax，就有可能會(huì)損害IGBT。 這就需要一定的措施抑制尖峰電壓的大小，除了在IGBT驅(qū)動(dòng)器上采用一定的措施如有源鉗位等進(jìn)行電壓鉗位外，還需要在直流母線兩端添加吸收電容。這好比添加了一個(gè)低通濾波器，會(huì)吸收掉尖峰電壓。
加裝吸收電容時(shí)，容量及電容選型也很重要，吸收電容也需要優(yōu)化：
􀂋錯(cuò)誤的吸收電容并不能吸收掉尖峰電壓
􀂋直流母排有雜散電感的話就會(huì)產(chǎn)生振蕩 下圖的這些電容并不能像吸收電容那樣安全工作: 􀂉不同的供應(yīng)商，有不同的吸收電容
􀂉在老化和故障測(cè)試中，就能選出最優(yōu)的吸收電容
􀂉選擇雜散電感較小的吸收電容 優(yōu)化之后:
􀂋很明顯的尖峰電壓減小
􀂋沒(méi)有振蕩 減小過(guò)壓的吸收電容電路有以下幾種方式： 計(jì)算吸收電容：
母排雜散電感和吸收電容雜散電感的影響 􀂋iC= 運(yùn)行電流
􀂋diC/dt= 關(guān)斷