IGBT模塊吸收回路分析模型

一、IGBT模塊吸收電路的模型
盡管開關(guān)器件內(nèi)部工作機(jī)理不同，但對于吸收電路的分析而言，則只需考慮器件的外特性，IGBT關(guān)斷時(shí)模型可以等效為電壓控制的電流源，開通時(shí)可以等效為電壓控制的電壓源。下面以下圖所示的斬波器為例提出一般IGBT吸收電路的模型。在分析中均假定：所有二極管的通態(tài)電壓降為零，開關(guān)器件T的拖尾電流為零，開關(guān)器件T的通態(tài)電壓降為零。文章來源：http://wllre.cn/il/225.html 1．關(guān)斷模型
初始狀態(tài)：T為通態(tài)，VD反向截止，Is流經(jīng)T和Ls，Cs上的電壓為零，Ls上電流為Is。柵極發(fā)出關(guān)斷信號，經(jīng)延遲時(shí)間，T上的電流以極快的速度下降到零。這段時(shí)間為電流下降時(shí)間，記為TF1。設(shè)下降時(shí)間開始時(shí)刻為零點(diǎn)，在下降時(shí)間里，0≤t≤TF1，則： 若假定T中的電流按二次曲線下降，則i_CS=I_S*t²/T²_F1；若T的拖尾電流為零，則t=TF1時(shí)第一電壓尖峰為： Cs由電流源Is充電，一直充到Cs上的電壓等于Us。這時(shí)，VD_F2正向?qū)�通，Is通過VD_F2續(xù)流；VD_S1導(dǎo)通，Ls上的電流流經(jīng)VD_S1。同時(shí)，Cs和Lp1+Lp2產(chǎn)生諧振，當(dāng)Lp1+Lp2中的能量全部轉(zhuǎn)移到Cs中時(shí)，IGBT承受第2個(gè)電壓尖峰U2； 式中：；Lp1為主回路的雜散電感；Lp2為吸收回路的雜散電感。
然后是VDs的反向恢復(fù)過程，同時(shí)Cs放電，Cs上的電壓最后穩(wěn)定在Us，電路進(jìn)入穩(wěn)態(tài)。
二、開通模型
初始狀態(tài)：T為斷態(tài)，VD_F2為通態(tài)，Is流經(jīng)VD_F2，Cs上電壓為Us，若考慮Ls和VDs1回路的損耗，則Ls上的電流為零。柵極發(fā)出開通信號，經(jīng)過延遲時(shí)間，T上的電壓以極快的速度下降到零。這段時(shí)間為電壓下降時(shí)間，記為T_F2。在電壓下降時(shí)間里有： 式中：i1、i2分別為Lp1和Lp2中的電流；u_T、i_T分別為T上的電壓和流經(jīng)T的電流。
一般假定Cs上的電壓在這么短的時(shí)間里仍維持Us。其后，Cs通過Rs和T放電到零，同時(shí)Ls+Lp1恒壓充電至電流為Is。這時(shí)VD_F2反向恢復(fù)并截止。最后電路進(jìn)入穩(wěn)態(tài)，T導(dǎo)通，VD_F2截止，Is流經(jīng)T和Ls，Cs上的電壓為零，Ls中的電流為Is。
采用支路模型無法正確理解三電平電路中的雜散電感，因?yàn)殡s散電感與回路有關(guān)，且回路面積越大，雜散電感越大。用回路模型表示比用支路模型表示更確切。因此，工程上凡是需要抑制過電壓或避免電磁干擾的地方，都必須緊縮布線或采用雙絞線以減少雜散電感。
根據(jù)以上模型可以指導(dǎo)設(shè)計(jì)吸收電路：首先根據(jù)器件功率大小和電路的布局估計(jì)Lp1和Lp2，一般以1m²的面積對應(yīng)1uH來信算；然后根據(jù)具體器件的特性，由上式確定Cs及Ls；Rs的選擇要保證在T開通時(shí)Cs上的電壓泄放至零，同時(shí)也要綜合考慮上式。